| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2008-10-27 |
| タイトル |
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タイトル |
MRAM型構造の作製と磁気特性 |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Fabrication of MRAM-type Structure and Their Magnetic Properties |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| 主題 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
MRAM |
| 主題 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
PSV |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
MTJ |
| 主題 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Sense line |
| 主題 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Word line |
| 主題 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Switching Phenomena |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
open access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| 作成者 |
ロス, キャロラインA.
原谷, 進
カスターノ, フェルナンド J.
ほか
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| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
The characteristic points of MRAM are compared with those of DRAM, Flash memory, SRAM, and FeRAM. The differences in PSV-MRAM and MTJ-MRAM are discussed in terms of the directions of sense current, CIP or CPP, and connections of CMOS with MR elements. An MRAM-type structure was accomplished with three layers of PSV element, NiFe soft layer (6nm) / Cu non-magnetic layer (3-6nm) / Co hard magnetic layer (4nm) on Si-wafer. Each PSV element of 80nm X 150nm was sandwiched by a sense line and a word line at the intersection of these lines. Furthermore, switching phenomena, which were observed in magnetic hysteresis loop by using PSV thin films, are also discussed along with the size limitation of PSV dots. |
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言語 |
en |
| 出版タイプ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| 書誌情報 |
素材物性学雑誌
巻 14,
号 1/2,
p. 43-51,
発行日 2001-12-01
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| 収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
09199853 |
| 収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10140273 |
| 出版者 |
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出版者 |
日本素材物性学会 |
sozai14-7.pdf (1.2 MB)
