Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
公開日 |
2008-10-19 |
タイトル |
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タイトル |
電気的特性による金属薄膜/GaAs接触界面の研究 |
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言語 |
ja |
タイトル |
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タイトル |
Interface Properties of GaAs/Metal Thin-Films Contacts by Electrical Measurements |
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言語 |
en |
言語 |
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言語 |
jpn |
主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
GaAs |
主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
RF magnetron sputtering |
主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
metal/semiconductor contacts |
主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Schottky barrier |
主題 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Bardeen model |
資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
アクセス権 |
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アクセス権 |
open access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
作成者 |
佐々木, 亮
浅野, 清光
SASAKI, Tohru
ASANO, Kiyomitsu
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内容記述 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
It has been important to understand interfacial phenomena of semiconductor/metal thin-films, like Fermi level pinning, and control them for highly reliable ULSI. GaAs is known as a valuable material used for high-frequency devices, high-efficient light-emitting devices, and so on. In order to understand and control interfacial phenomena on GaAs/metal contacts, electrical properties of GaAs/metal? thin-films (Au, Pt, Cu, AI) contacts by RF magnetron sputtering have been studied by measuring I~V and l/C2-V properties before and after annealing. The results showed that the slope of barrier heights ¢ B toward to metal work functions X m was about 0.1 ; hence, Schttoky model is probably unsuitable and Bardeen model may be well for GaAs, a covalent bond semiconductor. In cases of ohmic properties, the alloy of GaAs and metals formed by annealing and increased impurity concentration at interfaces may contribute for changing the electrical properties into ohmic ones. |
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言語 |
en |
出版タイプ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
書誌情報 |
ja : 素材物性学雑誌
巻 16,
号 1,
p. 6,
発行日 2003-06-01
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収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
09199853 |
収録物識別子 |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN10140273 |
出版者 |
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出版者 |
日本素材物性学会 |
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言語 |
ja |